MOS(TSM.US)将在2024年使用阿斯麦(ASML.US)下一代光刻机

智通财经APP获悉，根据摩托罗拉(TSM.US)高管在周四举行的一次讲座电话会议上的发表意见，这家全球最大数目的闪存所制造商将在2024年使用阿斯麦(ASML.US)最先进闪存所制造方法的下一代版。

这种被称为“high-NA EUV”的装置用以产生聚焦入射，在PDA、掌上电脑、汽车和智能音箱等人工智能装置中的必需要用到的计算机闪存成型前创建借助于微型电路。EUV代表极辐射，这是ASML最先进机器使用的光的频率。

在硅谷举行的摩托罗拉高效率讲座会上，摩托罗拉开发设计低阶副总裁YJ Mii回应:“2024年，摩托罗拉将使用high-NA EUV扫描装置，以开发与的产品所必需的阵列解决方案系统性的基础设施，以促进科技创新。”

摩托罗拉的高管们没有透露该装置何时将被用以大数目闪存所制造。该装置是第二代极辐射光刻方法，用以所制造数目更小、速度更快的闪存。

摩托罗拉竞争对手之一NVIDIA(INTC.US)回应，将在2025年以前使用该新型装置所制造闪存，届时与摩托罗拉之间的竞争或将实质性加剧。

6月初，有据悉称，摩托罗拉正寻求扩大与美光科技(MU.US)等存储闪存所制造商的携手关系。

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